买卖IC网 >> 产品目录 >> SI4662DY-T1-GE3 MOSFET 30V 18.6A 6.25W 10mohm @ 10V datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI4662DY-T1-GE3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 30V 18.6A 6.25W 10mohm @ 10V
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 30V 18.6A 6.25W 10mohm @ 10V
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制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 12.9 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 10 mOhms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOIC-8 Narrow
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SI4662DY-T1-GE3
SI4666DY
SI4666DY-T1-E3
SI4666DY-T1-GE3
SI4668DY-T1-E3
SI4668DY-T1-GE3
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公司名
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深圳市源美盛达科技有限公司 13927420685 连小敏
  • SI4662DY-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1,320 0.786 1037.52
    2,500 0.558 1395
    5,000 0.528 2640
    7,500 0.524 3930
    10,000 0.522 5220